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LTC4440IMS8E#TRPBF

LTC4440IMS8E#TRPBF

참조 용

부품 번호 LTC4440IMS8E#TRPBF
PNEDA 부품 번호 LTC4440IMS8E-TRPBF
설명 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8MSOP
제조업체 Linear Technology/Analog Devices
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LTC4440IMS8E#TRPBF 리소스

브랜드 Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LTC4440IMS8E#TRPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • LTC4440IMS8E#TRPBF Distributor

LTC4440IMS8E#TRPBF 사양

제조업체Linear Technology/Analog Devices
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1.3V, 1.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.4A, 2.4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)80V
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 7ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-MSOP-EP

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Infineon Technologies

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채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

13V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads

공급자 장치 패키지

PG-DSO-36-58

MP1924HS-LF-Z

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제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SLG55021-200010VTR

Dialog Semiconductor GmbH

제조업체

Dialog Semiconductor GmbH

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

논리 전압-VIL, VIH

0.4V, 5.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

32µA, 400µA

입력 유형

CMOS

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x2)

IR21814STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

ISL6594ACR

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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