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M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P M25P10-AVMN6P

참조 용

부품 번호 M25P10-AVMN6P
PNEDA 부품 번호 M25P10-AVMN6P
설명 IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO
제조업체 Micron Technology Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 22,241
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M25P10-AVMN6P 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M25P10-AVMN6P
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M25P10-AVMN6P, M25P10-AVMN6P 데이터 시트 (총 페이지: 51, 크기: 1,103.38 KB)
PDFM25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 표지
M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 2 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 3 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 4 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 5 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 6 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 7 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 8 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 9 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 10 M25P10-AVMP6TG TR 데이터 시트 페이지 11

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M25P10-AVMN6P 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ms, 5ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-FBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (10x13)

BR24C21FJ-E2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

BR24T512FVT-3AME2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

CY7C1480V33-200AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

IS49NLC96400A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (64M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TBGA

공급자 장치 패키지

144-TWBGA (11x18.5)

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