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M27W402-100K6

M27W402-100K6

참조 용

부품 번호 M27W402-100K6
PNEDA 부품 번호 M27W402-100K6
설명 IC EPROM 4K PARALLEL 44PLCC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,700
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 26 - 12월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M27W402-100K6 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M27W402-100K6
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M27W402-100K6, M27W402-100K6 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 154.9 KB)
PDFM27W402-100K6 데이터 시트 표지
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M27W402-100K6 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간100ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지44-PLCC (16.51x16.51)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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134-FBGA (10x11.5)

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Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

eMMC

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-WFBGA

공급자 장치 패키지

153-WFBGA (11.5x13)

AS4C32M8D1-5TCN

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP II

IS61VPS51236B-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

AT45DB081E-SSHN-B

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제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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