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M29F400FB5AM6T2

M29F400FB5AM6T2

참조 용

부품 번호 M29F400FB5AM6T2
PNEDA 부품 번호 M29F400FB5AM6T2
설명 IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
제조업체 Micron Technology Inc.
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예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M29F400FB5AM6T2 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M29F400FB5AM6T2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M29F400FB5AM6T2, M29F400FB5AM6T2 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 679.14 KB)
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M29F400FB5AM6T2 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기4Mb (512K x 8, 256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
공급자 장치 패키지44-SO

관심을 가질만한 제품

IDT71V2559S85PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

TE28F256P33TFA

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Axcell™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

105ns

접근 시간

105ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

71256SA25YG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

CY62158EV30LL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY7C1312KV18-300BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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