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M57161L-01

M57161L-01

참조 용

부품 번호 M57161L-01
PNEDA 부품 번호 M57161L-01
설명 IC GATE DRVR FOR IGBT MOD
제조업체 Powerex Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M57161L-01 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M57161L-01
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
M57161L-01, M57161L-01 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 258.07 KB)
PDFM57161L-01 데이터 시트 표지
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M57161L-01 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급14.3V ~ 15.7V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)7A, 7A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)400ns, 400ns
작동 온도-20°C ~ 60°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-SIP, 15 Leads
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-WSON (4x4)

DGD21814MS14-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SO

LTC4440IMS8E#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.3V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.4A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

TPS2811P

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

NCD5703ADR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

20V

논리 전압-VIL, VIH

0.75V, 4.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

7.8A, 6.8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9.2ns, 7.9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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