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M95160-RCS6TP/S

M95160-RCS6TP/S

참조 용

부품 번호 M95160-RCS6TP/S
PNEDA 부품 번호 M95160-RCS6TP-S
설명 IC EEPROM 16K SPI 10MHZ 8WLCSP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 555,740
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M95160-RCS6TP/S 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M95160-RCS6TP/S
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M95160-RCS6TP/S, M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 (총 페이지: 53, 크기: 929.1 KB)
PDFM95160-RCS6TP/S 데이터 시트 표지
M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 2 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 3 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 4 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 5 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 6 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 7 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 8 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 9 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 10 M95160-RCS6TP/S 데이터 시트 페이지 11

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M95160-RCS6TP/S 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지8-WLCSP (1.35x1.37)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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CYD36S18V18-167BGXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4ns

전압-공급

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

484-FBGA

공급자 장치 패키지

484-FBGA (23x23)

MT46V16M16P-75:F

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

AS6C1616-70BIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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