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M95512-WMN6TP

M95512-WMN6TP

참조 용

부품 번호 M95512-WMN6TP
PNEDA 부품 번호 M95512-WMN6TP
설명 IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M95512-WMN6TP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M95512-WMN6TP
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M95512-WMN6TP, M95512-WMN6TP 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 918.07 KB)
PDFM95512-RMC6TG 데이터 시트 표지
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M95512-WMN6TP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수16MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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기술

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메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2.133GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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메모리 크기

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시계 주파수

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접근 시간

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전압-공급

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시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-LCC

공급자 장치 패키지

28-LCC (13.97x8.89)

70V3589S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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