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MA4P7455CK-287T

MA4P7455CK-287T

참조 용

부품 번호 MA4P7455CK-287T
PNEDA 부품 번호 MA4P7455CK-287T
설명 RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가
1 ---------- $1.1680
500 ---------- $1.1132
1,000 ---------- $1.0585
2,500 ---------- $1.0038
5,000 ---------- $0.9581
10,000 ---------- $0.9125
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MA4P7455CK-287T 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MA4P7455CK-287T
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MA4P7455CK-287T, MA4P7455CK-287T 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 726.94 KB)
PDFMA4P7433-287T 데이터 시트 표지
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MA4P7455CK-287T 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Common Cathode
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대150mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F3Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도175°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

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작동 온도

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현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

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ON Semiconductor

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

150V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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