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MAX5064AATC+

MAX5064AATC+

참조 용

부품 번호 MAX5064AATC+
PNEDA 부품 번호 MAX5064AATC
설명 IC MOSFET DRIVER 12-TQFN
제조업체 Maxim Integrated
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재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
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MAX5064AATC+ 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX5064AATC+
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX5064AATC+, MAX5064AATC+ 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 404.58 KB)
PDFMAX5063DASA+T 데이터 시트 표지
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MAX5064AATC+ 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 12.6V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)125V
상승 / 하강 시간 (일반)65ns, 65ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-WQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-TQFN (4x4)

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Microchip Technology

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

108V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS21814STRPBF

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Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

LTC1693-5CMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

1.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 16ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

ZL1505ALNNT1

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 7.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.7V, 3.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.2A, 3.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

30V

상승 / 하강 시간 (일반)

5.3ns, 4.8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

TPS28226DRBR

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.8V ~ 8.8V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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