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MB85R4002ANC-GE1

MB85R4002ANC-GE1

참조 용

부품 번호 MB85R4002ANC-GE1
PNEDA 부품 번호 MB85R4002ANC-GE1
설명 IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP
제조업체 Fujitsu Electronics
단가
1 ---------- $278.7517
50 ---------- $265.6853
100 ---------- $252.6188
200 ---------- $239.5523
400 ---------- $228.6635
500 ---------- $217.7748
재고 있음 413
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MB85R4002ANC-GE1 리소스

브랜드 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MB85R4002ANC-GE1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MB85R4002ANC-GE1, MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 1,120.84 KB)
PDFMB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 표지
MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 2 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 3 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 4 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 5 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 6 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 7 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 8 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 9 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 10 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 11

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MB85R4002ANC-GE1 사양

제조업체Fujitsu Electronics America, Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지150ns
접근 시간150ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-VFBGA (10x11.5)

CY7C1440AV33-250AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

LE25U40PCMC-AH

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

30MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC/SOPJ

CY14B101K-SP35XCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

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