MBR10150 C0G
참조 용
부품 번호 | MBR10150 C0G |
PNEDA 부품 번호 | MBR10150-C0G |
설명 | DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AC |
제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 8,334 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 21 - 11월 26 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MBR10150 C0G 리소스
브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | MBR10150 C0G |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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MBR10150 C0G 사양
제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
시리즈 | - |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 150V |
전류-평균 정류 (Io) | 10A |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.05V @ 10A |
속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | - |
전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 150V |
커패시턴스 @ Vr, F | - |
장착 유형 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
공급자 장치 패키지 | TO-220AC |
작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 600A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.97V @ 1885A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1µs 전류-역방향 누설 @ Vr 45mA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-200AA, A-PUK 공급자 장치 패키지 B-43, Hockey PUK 작동 온도-접합 - |
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