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MBR12060CT

MBR12060CT

참조 용

부품 번호 MBR12060CT
PNEDA 부품 번호 MBR12060CT
설명 DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR12060CT 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR12060CT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR12060CT, MBR12060CT 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 718.49 KB)
PDFMBR120100CTR 데이터 시트 표지
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MBR12060CT 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)120A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 60A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3mA @ 20V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

120µA @ 120V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Through Hole

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 35V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

25V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 25V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5.5mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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