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MBR1635G

MBR1635G

참조 용

부품 번호 MBR1635G
PNEDA 부품 번호 MBR1635G
설명 DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220-2
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,524
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MBR1635G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR1635G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBR1635G, MBR1635G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 62.86 KB)
PDFMBR1635 데이터 시트 표지
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MBR1635G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)35V
전류-평균 정류 (Io)16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If630mV @ 16A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr200µA @ 35V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220-2
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

120µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 6V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

95ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

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STTH212RL

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

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DO-201AD

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

55ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

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