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MBR2560CTHE3/45

MBR2560CTHE3/45

참조 용

부품 번호 MBR2560CTHE3/45
PNEDA 부품 번호 MBR2560CTHE3-45
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,806
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR2560CTHE3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR2560CTHE3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR2560CTHE3/45, MBR2560CTHE3/45 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 130.61 KB)
PDFMBR2545CT801HE3/45 데이터 시트 표지
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MBR2560CTHE3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 60V
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ND, Module

공급자 장치 패키지

ND

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1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 60V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 100V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MSKD165-18

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

165A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 1800V

작동 온도-접합

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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