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MBR2X100A180

MBR2X100A180

참조 용

부품 번호 MBR2X100A180
PNEDA 부품 번호 MBR2X100A180
설명 DIODE SCHOTTKY 180V 200A SOT227
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,452
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR2X100A180 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR2X100A180
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
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  • MBR2X100A180 Distributor

MBR2X100A180 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)180V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If920mV @ 100A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3mA @ 180V
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 120V

작동 온도-접합

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장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 150V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

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SOT-227

VFT3060C-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

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1 Pair Common Cathode

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.2mA @ 60V

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