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MBRA210ET3

MBRA210ET3

참조 용

부품 번호 MBRA210ET3
PNEDA 부품 번호 MBRA210ET3
설명 DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,732
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRA210ET3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRA210ET3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRA210ET3, MBRA210ET3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 95.27 KB)
PDFMBRA210ET3 데이터 시트 표지
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MBRA210ET3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)10V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If500mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 10V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

150mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 250mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

125°C (Max)

P2500M A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

870mV @ 5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-50°C ~ 175°C

IDH09SG60CXKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

9A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 9A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

280pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MUR115-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

IDH02G65C5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 2A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

35µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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