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MBRB10H100CT-E3/81

MBRB10H100CT-E3/81

참조 용

부품 번호 MBRB10H100CT-E3/81
PNEDA 부품 번호 MBRB10H100CT-E3-81
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRB10H100CT-E3/81 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRB10H100CT-E3/81
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBRB10H100CT-E3/81, MBRB10H100CT-E3/81 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 158.11 KB)
PDFM10H100CTHE3_A/P 데이터 시트 표지
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  • MBRB10H100CT-E3/81 Distributor

MBRB10H100CT-E3/81 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If760mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3.5µA @ 100V
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 구성

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

8000V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

8V @ 12A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 8000V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

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GeneSiC Semiconductor

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-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Three Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 구성

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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작동 온도-접합

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