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MBRB10H100HE3/45

MBRB10H100HE3/45

참조 용

부품 번호 MBRB10H100HE3/45
PNEDA 부품 번호 MBRB10H100HE3-45
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,446
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRB10H100HE3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRB10H100HE3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRB10H100HE3/45, MBRB10H100HE3/45 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 145.09 KB)
PDFMBRF10H150CT-E3/45 데이터 시트 표지
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  • MBRB10H100HE3/45 Distributor

MBRB10H100HE3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If770mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr4.5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

240A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 240A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1700V

전류-평균 정류 (Io)

70A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 25A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 1700V

커패시턴스 @ Vr, F

1950pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBR1060-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Through Hole

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