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MBRB2550CTHE3/81

MBRB2550CTHE3/81

참조 용

부품 번호 MBRB2550CTHE3/81
PNEDA 부품 번호 MBRB2550CTHE3-81
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRB2550CTHE3/81 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRB2550CTHE3/81
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBRB2550CTHE3/81, MBRB2550CTHE3/81 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 130.61 KB)
PDFMBR2545CT801HE3/45 데이터 시트 표지
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MBRB2550CTHE3/81 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 50V
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

85ns

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 600V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 200A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 800V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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D1

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Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

MSRT200100(A)

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도-접합

-

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800mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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-

전류-역방향 누설 @ Vr

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