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MBRF10H45-E3/45

MBRF10H45-E3/45

참조 용

부품 번호 MBRF10H45-E3/45
PNEDA 부품 번호 MBRF10H45-E3-45
설명 DIODE SCHOTTKY 45V 10A ITO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,996
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 10월 7 - 10월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRF10H45-E3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRF10H45-E3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRF10H45-E3/45, MBRF10H45-E3/45 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 124.4 KB)
PDFMBRF10H50HE3/45 데이터 시트 표지
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  • MBRF10H45-E3/45 Distributor

MBRF10H45-E3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If630mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지ITO-220AC
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

540mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

145pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

5800V

전류-평균 정류 (Io)

3910A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 4000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100mA @ 5800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AE

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제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 600mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

BY134GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

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