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MBRT120100R

MBRT120100R

참조 용

부품 번호 MBRT120100R
PNEDA 부품 번호 MBRT120100R
설명 DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,574
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRT120100R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRT120100R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBRT120100R, MBRT120100R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 788.13 KB)
PDFMBRT12080R 데이터 시트 표지
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MBRT120100R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)120A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If880mV @ 60A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 20V
작동 온도-접합-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Three Tower
공급자 장치 패키지Three Tower

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 100V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Through Hole

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

480mV @ 4A

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 30V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 35V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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