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MC10H106P

MC10H106P

참조 용

부품 번호 MC10H106P
PNEDA 부품 번호 MC10H106P
설명 IC GATE NOR 3CH 4/3/3-INP 16DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MC10H106P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC10H106P
분류반도체로직 IC논리-게이트 및 인버터
데이터 시트
MC10H106P, MC10H106P 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 150.13 KB)
PDFMC10H106PG 데이터 시트 표지
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MC10H106P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈10H
논리 유형NOR Gate
회로 수3
입력 수4, 3, 3
특징-
전압-공급-4.94V ~ -5.46V
전류-대기 (최대)-
전류-출력 높음, 낮음50mA, 50mA
논리 레벨-낮음-1.48V
논리 레벨-높음-1.13V
V, 최대 CL에서 최대 전파 지연1.5ns @ -5.2V, -
작동 온도0°C ~ 75°C
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지16-DIP
패키지 / 케이스16-DIP (0.300", 7.62mm)

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논리 유형

Inverter

회로 수

6

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6

특징

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

-

전류-출력 높음, 낮음

2mA, 20mA

논리 레벨-낮음

0.8V

논리 레벨-높음

2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

5ns @ 5V, 50pF

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

14-PDIP

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

74AC86MTC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

74AC

논리 유형

XOR (Exclusive OR)

회로 수

4

입력 수

2

특징

-

전압-공급

2V ~ 6V

전류-대기 (최대)

2µA

전류-출력 높음, 낮음

24mA, 24mA

논리 레벨-낮음

0.9V ~ 1.65V

논리 레벨-높음

2.1V ~ 3.85V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

8.5ns @ 5V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

14-TSSOP

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

74AUP2G04FW4-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

74AUP

논리 유형

Inverter

회로 수

2

입력 수

2

특징

-

전압-공급

0.8V ~ 3.6V

전류-대기 (최대)

500nA

전류-출력 높음, 낮음

4mA, 4mA

논리 레벨-낮음

0.7V ~ 0.9V

논리 레벨-높음

1.6V ~ 2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

5.4ns @ 3.3V, 30pF

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X2-DFN1010-6

패키지 / 케이스

6-XFDFN

74HC02PW,112

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

74HC

논리 유형

NOR Gate

회로 수

4

입력 수

2

특징

-

전압-공급

2V ~ 6V

전류-대기 (최대)

2µA

전류-출력 높음, 낮음

5.2mA, 5.2mA

논리 레벨-낮음

0.5V ~ 1.8V

논리 레벨-높음

1.5V ~ 4.2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

15ns @ 6V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

14-TSSOP

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

TC4S01F(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

TC4S

논리 유형

NOR Gate

회로 수

1

입력 수

2

특징

-

전압-공급

3V ~ 18V

전류-대기 (최대)

1µA

전류-출력 높음, 낮음

3.4mA, 3.4mA

논리 레벨-낮음

1.5V ~ 4V

논리 레벨-높음

3.5V ~ 11V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

80ns @ 15V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SMV

패키지 / 케이스

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