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MCP14A0902T-E/SN

MCP14A0902T-E/SN

참조 용

부품 번호 MCP14A0902T-E/SN
PNEDA 부품 번호 MCP14A0902T-E-SN
설명 9.0A SINGLE NON-INV MOSFET DRIVE
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 2,340
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCP14A0902T-E/SN 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCP14A0902T-E/SN
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MCP14A0902T-E/SN, MCP14A0902T-E/SN 데이터 시트 (총 페이지: 30, 크기: 1,005.68 KB)
PDFMCP14A0902-E/MS 데이터 시트 표지
MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 2 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 3 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 4 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 5 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 6 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 7 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 8 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 9 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 10 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 11

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  • MCP14A0902T-E/SN Distributor

MCP14A0902T-E/SN 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)9A, 9A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)22ns, 22ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.15V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

35V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad, CSP

공급자 장치 패키지

8-LFCSP (3x3)

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Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.1V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN-EP (3x3)

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제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

15A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

6ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IX4426NTR

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 8ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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