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MEO550-02DA

MEO550-02DA

참조 용

부품 번호 MEO550-02DA
PNEDA 부품 번호 MEO550-02DA
설명 DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MEO550-02DA 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MEO550-02DA
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MEO550-02DA, MEO550-02DA 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 52.72 KB)
PDFMEO550-02DA 데이터 시트 표지
MEO550-02DA 데이터 시트 페이지 2

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MEO550-02DA 사양

제조업체IXYS
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)582A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 520A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)200ns
전류-역방향 누설 @ Vr5mA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Y4-M6
공급자 장치 패키지Y4-M6
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

PMDS

작동 온도-접합

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

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CDBMH150-HF

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 50V

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Surface Mount

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