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MG400J2YS61A

MG400J2YS61A

참조 용

부품 번호 MG400J2YS61A
PNEDA 부품 번호 MG400J2YS61A
설명 IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A
제조업체 Powerex Inc.
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MG400J2YS61A 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MG400J2YS61A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MG400J2YS61A, MG400J2YS61A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 313.99 KB)
PDFMG400J2YS61A 데이터 시트 표지
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  • MG400J2YS61A Distributor

MG400J2YS61A 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈IGBTMOD™
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)400A
전력-최대2160W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce85nF @ 10V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Half Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

205A

전력-최대

835W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM200GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

1400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

225W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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