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MIAA20WE600TMH

MIAA20WE600TMH

참조 용

부품 번호 MIAA20WE600TMH
PNEDA 부품 번호 MIAA20WE600TMH
설명 MODULE IGBT CBI
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MIAA20WE600TMH 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIAA20WE600TMH
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MIAA20WE600TMH, MIAA20WE600TMH 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 314.19 KB)
PDFMIAA20WE600TMH 데이터 시트 표지
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MIAA20WE600TMH 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)29A
전력-최대100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대)1.1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce0.9nF @ 25V
입력Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스MiniPack2
공급자 장치 패키지MiniPack2

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 6.8A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

IMS-2

FF450R12KT4PHOSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

C

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MG06600WB-BN4MM

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

700A

전력-최대

1500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 600A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

39nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT150SK170D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

FD200R12KE3PHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

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