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MIC5060YML-TR

MIC5060YML-TR

참조 용

부품 번호 MIC5060YML-TR
PNEDA 부품 번호 MIC5060YML-TR
설명 IC MOSFET DVR HI/LOW SIDE 8ML
제조업체 Microchip Technology
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MIC5060YML-TR 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIC5060YML-TR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MIC5060YML-TR, MIC5060YML-TR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 506.23 KB)
PDFMIC5060YML-TR 데이터 시트 표지
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MIC5060YML-TR 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급2.75V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF®
공급자 장치 패키지8-MLF® (3x3)

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게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

3V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.25V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 6A

입력 유형

CMOS/TTL

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 135V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-MSOP

NCP5911MNTBG

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 3.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 11ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x2)

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

130µs, 18µs

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-665

공급자 장치 패키지

HVSOF5

SN75374DRE4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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