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MICROFJ-60035-TSV-TR1

MICROFJ-60035-TSV-TR1

참조 용

부품 번호 MICROFJ-60035-TSV-TR1
PNEDA 부품 번호 MICROFJ-60035-TSV-TR1
설명 SENSOR PHOTODIODE 420NM 36WBGA
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1,148.2240
50 ---------- $1,094.4010
100 ---------- $1,040.5780
200 ---------- $986.7550
400 ---------- $941.9025
500 ---------- $897.0500
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MICROFJ-60035-TSV-TR1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MICROFJ-60035-TSV-TR1
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
MICROFJ-60035-TSV-TR1, MICROFJ-60035-TSV-TR1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 696.86 KB)
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MICROFJ-60035-TSV-TR1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈J
파장420nm
색상-강화-
분광 범위200nm ~ 900nm
다이오드 유형Avalanche
nm에서의 반응-
응답 시간250ps
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)24.7V
전류-어둡게 (일반)7.5µA
활성 영역36.85mm²
시야각-
작동 온도-40°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스36-WBGA

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다이오드 유형

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nm에서의 반응

-

응답 시간

715ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

50nA

활성 영역

52mm²

시야각

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작동 온도

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장착 유형

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색상-강화

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다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-어둡게 (일반)

2nA

활성 영역

4.4mm²

시야각

120°

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

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파장

950nm

색상-강화

-

분광 범위

700nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

900ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-어둡게 (일반)

335pA

활성 영역

17.74mm²

시야각

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장착 유형

Through Hole

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

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파장

-

색상-강화

-

분광 범위

-

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-어둡게 (일반)

-

활성 영역

-

시야각

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

-

색상-강화

-

분광 범위

190nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

0.18 A/W @ 254nm

응답 시간

56ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

5.07mm²

시야각

73°

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-5 Variant, 2 Leads, Lens Top Metal Can

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