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MIO1200-33E10

MIO1200-33E10

참조 용

부품 번호 MIO1200-33E10
PNEDA 부품 번호 MIO1200-33E10
설명 MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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예상 배송 6월 27 - 7월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MIO1200-33E10 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIO1200-33E10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MIO1200-33E10, MIO1200-33E10 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 325.47 KB)
PDFMIO1200-33E10 데이터 시트 표지
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MIO1200-33E10 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)3300V
전류-수집기 (Ic) (최대)1200A
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대)120mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce187nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E10
공급자 장치 패키지E10

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전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

7800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

97nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

182A

전력-최대

520W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.67nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

11500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

190nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

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Chassis Mount

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3mA

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