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MJB42CT4G

MJB42CT4G

참조 용

부품 번호 MJB42CT4G
PNEDA 부품 번호 MJB42CT4G
설명 TRANS PNP 100V 6A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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MJB42CT4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJB42CT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJB42CT4G, MJB42CT4G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 126.05 KB)
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MJB42CT4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대)700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce15 @ 3A, 4V
전력-최대2W
주파수-전환3MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

전력-최대

10W

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

CPT3

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MPSA12_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 10µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N5089_J18Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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