MJD112-1G
참조 용
| 부품 번호 | MJD112-1G |
| PNEDA 부품 번호 | MJD112-1G |
| 설명 | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 31,626 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJD112-1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJD112-1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJD112-1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 20µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 전력-최대 | 1.75W |
| 주파수-전환 | 25MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 공급자 장치 패키지 | I-PAK |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.3V @ 500µA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V 전력-최대 800mW 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 5V 전력-최대 1.5W 주파수-전환 180MHz 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 No Tab 공급자 장치 패키지 FLP |
