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MJD112RL

MJD112RL

참조 용

부품 번호 MJD112RL
PNEDA 부품 번호 MJD112RL
설명 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,758
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJD112RL 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD112RL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD112RL, MJD112RL 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 148.1 KB)
PDFMJD117RLG 데이터 시트 표지
MJD117RLG 데이터 시트 페이지 2 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 3 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 4 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 5 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 6 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 7 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 8 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 9 MJD117RLG 데이터 시트 페이지 10

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MJD112RL 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대)20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력-최대1.75W
주파수-전환25MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

11V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

3.2GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VMT3

JANS2N3499L/TR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

CMUT5087E TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

225mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

390 @ 100µA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SOT-523

BF423,112

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

전력-최대

830mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

FJV42MTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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