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MJD122TF

MJD122TF

참조 용

부품 번호 MJD122TF
PNEDA 부품 번호 MJD122TF
설명 TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJD122TF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD122TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD122TF, MJD122TF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 338 KB)
PDFMJD122TF 데이터 시트 표지
MJD122TF 데이터 시트 페이지 2 MJD122TF 데이터 시트 페이지 3 MJD122TF 데이터 시트 페이지 4 MJD122TF 데이터 시트 페이지 5 MJD122TF 데이터 시트 페이지 6 MJD122TF 데이터 시트 페이지 7

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MJD122TF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
전력-최대1.75W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

820 @ 4ma, 2V

전력-최대

300mW

주파수-전환

35MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72 Formed Leads

공급자 장치 패키지

SPT

2STA2510

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.2A, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 12A, 4V

전력-최대

125W

주파수-전환

20MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

2SC5964-S-TD-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

290mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

380MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PCP

CJD112 TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

2N6316

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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