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MJD128T4

MJD128T4

참조 용

부품 번호 MJD128T4
PNEDA 부품 번호 MJD128T4
설명 TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,470
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MJD128T4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD128T4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD128T4, MJD128T4 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 95.64 KB)
PDFMJD128T4 데이터 시트 표지
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MJD128T4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
전력-최대1.75W
주파수-전환4MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

320MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

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15nA (ICBO)

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100MHz

작동 온도

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-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 10V

전력-최대

750mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92B-B1

2SA1381ESTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 10V

전력-최대

7W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 6mA, 50mA

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100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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