MJD32CTF_NBDD002
참조 용
| 부품 번호 | MJD32CTF_NBDD002 |
| PNEDA 부품 번호 | MJD32CTF_NBDD002 |
| 설명 | TRANS PNP 100V 3A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,842 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJD32CTF_NBDD002 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJD32CTF_NBDD002 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJD32CTF_NBDD002 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 3A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 50µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| 전력-최대 | 1.56W |
| 주파수-전환 | 3MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | D-Pak |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V 전력-최대 460mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V 전력-최대 200mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
