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MJE15032

MJE15032

참조 용

부품 번호 MJE15032
PNEDA 부품 번호 MJE15032
설명 TRANS NPN 250V 8A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,272
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJE15032 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJE15032
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJE15032, MJE15032 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 216.99 KB)
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MJE15032 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce10 @ 2A, 5V
전력-최대2W
주파수-전환30MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92-3

CMPT8599 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

ZTX1047ASTOB

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

190mV @ 20mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

BC847BLP4-7B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XFDFN

공급자 장치 패키지

X2-DFN1006-3

DXT5551P5-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

전력-최대

2.25W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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