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MJE210

MJE210

참조 용

부품 번호 MJE210
PNEDA 부품 번호 MJE210
설명 TRANS PNP 25V 5A SOT-32
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 27 - 7월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJE210 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJE210
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJE210, MJE210 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 55.84 KB)
PDFMJE210 데이터 시트 표지
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MJE210 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce45 @ 2A, 1V
전력-최대1.5W
주파수-전환65MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지SOT-32-3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 3A, 5V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

BC858AW-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 2.2mA, 5V

전력-최대

150mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BD678

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

SOT-32-3

BUL89

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 2.4A, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

전력-최대

110W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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2N5013S

Microsemi

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 5mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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