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MM5Z4V7T1G

MM5Z4V7T1G

참조 용

부품 번호 MM5Z4V7T1G
PNEDA 부품 번호 MM5Z4V7T1G
설명 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD523
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.4972
500 ---------- $0.4738
1,000 ---------- $0.4505
2,500 ---------- $0.4272
5,000 ---------- $0.4078
10,000 ---------- $0.3884
재고 있음 24,959
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MM5Z4V7T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MM5Z4V7T1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MM5Z4V7T1G, MM5Z4V7T1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 177.81 KB)
PDFMM5Z15VT5G 데이터 시트 표지
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MM5Z4V7T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±6.4%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523

관심을 가질만한 제품

CDLL3027

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±20%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

ZMM5267B-7

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

270 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

Mini MELF

1N5370AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 40.3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1PMT5954/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

700 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

JANTXV1N4627CUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

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TAJB475K016RNJ

TAJB475K016RNJ

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TPSD227K006R0100

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