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MMBD6100LT3G

MMBD6100LT3G

참조 용

부품 번호 MMBD6100LT3G
PNEDA 부품 번호 MMBD6100LT3G
설명 DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBD6100LT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBD6100LT3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MMBD6100LT3G, MMBD6100LT3G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 83.96 KB)
PDFMMBD6100LT3G 데이터 시트 표지
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MMBD6100LT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)70V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 50V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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STMicroelectronics

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 60V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

GDP60Y120B

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 135°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

MBR300200CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 200V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MBR300100CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

UB30DCT-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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TO-263AB

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