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MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

참조 용

부품 번호 MMBFJ309LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBFJ309LT1G
설명 JFET N-CH 25V 30MA SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,046
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBFJ309LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBFJ309LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMBFJ309LT1G, MMBFJ309LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 179.84 KB)
PDFMMBFJ310LT1 데이터 시트 표지
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  • MMBFJ309LT1G Distributor

MMBFJ309LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격25V
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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28V

전류 정격 (Amps)

39A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

35.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

28.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

222mA

전원-출력

-

전압-정격

65V

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LDMOS

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전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

SD2903

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

400MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

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