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MMBT3904LT3G

MMBT3904LT3G

참조 용

부품 번호 MMBT3904LT3G
PNEDA 부품 번호 MMBT3904LT3G
설명 TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,926,072
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBT3904LT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBT3904LT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMBT3904LT3G, MMBT3904LT3G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 197.08 KB)
PDFMMBT3904LT3 데이터 시트 표지
MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 2 MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 3 MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 4 MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 5 MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 6 MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 7 MMBT3904LT3 데이터 시트 페이지 8

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MMBT3904LT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
전력-최대300mW
주파수-전환300MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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Nexperia

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

전력-최대

420mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

360mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

BD244B-S

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

FJP5021

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 600mA, 5V

전력-최대

50W

주파수-전환

18MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

2N336T2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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