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MMBV109LT1G

MMBV109LT1G

참조 용

부품 번호 MMBV109LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBV109LT1G
설명 DIODE TUNING SS 30V SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,428
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBV109LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBV109LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
MMBV109LT1G, MMBV109LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 63.05 KB)
PDFMMBV109LT3G 데이터 시트 표지
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MMBV109LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F32pF @ 3V, 1MHz
커패시턴스 비율6.5
커패시턴스 비율 조건C3/C25
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F200 @ 3V, 50MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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C2/C20

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

SMV1251-001LF

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제조업체

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시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

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커패시턴스 비율

12.2

커패시턴스 비율 조건

C0.3/C4.7

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

400 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

4.3

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

USC

ZMDC831BTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

15.75pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

6

커패시턴스 비율 조건

C2/C20

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

300 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

SMV1800-079LF

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.05pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

16

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

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