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MMBV3401LT1

MMBV3401LT1

참조 용

부품 번호 MMBV3401LT1
PNEDA 부품 번호 MMBV3401LT1
설명 RF DIODE PIN 35V 200MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.2484
500 ---------- $0.2368
1,000 ---------- $0.2252
2,500 ---------- $0.2135
5,000 ---------- $0.2038
10,000 ---------- $0.1941
재고 있음 39,675
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBV3401LT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBV3401LT1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBV3401LT1, MMBV3401LT1 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 113.04 KB)
PDFMMBV3401LT3G 데이터 시트 표지
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MMBV3401LT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F700mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)200mW
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

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전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

350mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 2mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ESC

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