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MMBZ5225BT-7-G

MMBZ5225BT-7-G

참조 용

부품 번호 MMBZ5225BT-7-G
PNEDA 부품 번호 MMBZ5225BT-7-G
설명 DIODE ZENER SOT523
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBZ5225BT-7-G 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBZ5225BT-7-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MMBZ5225BT-7-G 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Rohm Semiconductor

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24V

공차

±2.21%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

120 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

EMD2

1N4685 (DO35)

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

7.5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4759A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±5%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

1N5338CE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

MMBZ4618-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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