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MMBZ5237BT-7-G

MMBZ5237BT-7-G

참조 용

부품 번호 MMBZ5237BT-7-G
PNEDA 부품 번호 MMBZ5237BT-7-G
설명 DIODE ZENER SOT523
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,994
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBZ5237BT-7-G 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBZ5237BT-7-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MMBZ5237BT-7-G 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

SMBJ5381BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

190 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 93.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

BZG03B160-M3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG03B-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

350 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 120V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

JAN1N3034CUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

BZX79-B18,113

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±2%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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