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MMDF2N02ER2G

MMDF2N02ER2G

참조 용

부품 번호 MMDF2N02ER2G
PNEDA 부품 번호 MMDF2N02ER2G
설명 MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
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MMDF2N02ER2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMDF2N02ER2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MMDF2N02ER2G, MMDF2N02ER2G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 130.08 KB)
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MMDF2N02ER2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds532pF @ 16V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1340pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ZXMN3A04DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1890pF @ 15V

전력-최대

1.81W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 2.5mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 1000V

전력-최대

350W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

STL8DN10LF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

970pF @ 25V

전력-최대

70W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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