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MMFZ3V6T3G

MMFZ3V6T3G

참조 용

부품 번호 MMFZ3V6T3G
PNEDA 부품 번호 MMFZ3V6T3G
설명 DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMFZ3V6T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMFZ3V6T3G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MMFZ3V6T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.6V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±3%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SSMini2-F4

1SMB5947BT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

160 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 62.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

CRZ18(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±10%

전력-최대

700mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

S-FLAT (1.6x3.5)

1N5357AE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 14.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N3011B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±5%

전력-최대

10W

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 114V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 2A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

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