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MMRF1006HR5

MMRF1006HR5

참조 용

부품 번호 MMRF1006HR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1006HR5
설명 FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1006HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1006HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1006HR5, MMRF1006HR5 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 748.89 KB)
PDFMMRF1006HR5 데이터 시트 표지
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MMRF1006HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수450MHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격120V
패키지 / 케이스SOT-979A
공급자 장치 패키지NI-1230-4H

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

43W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.7GHz ~ 3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

22W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

ARF441

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

13.56MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

11A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

125W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

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