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MMRF1314GSR5

MMRF1314GSR5

참조 용

부품 번호 MMRF1314GSR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1314GSR5
설명 TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1314GSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1314GSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1314GSR5, MMRF1314GSR5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 425.22 KB)
PDFMMRF1314GSR5 데이터 시트 표지
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MMRF1314GSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.4GHz
이득17.7dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1000W
전압-정격105V
패키지 / 케이스NI-1230-4S GW
공급자 장치 패키지NI-1230-4S GULL

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1212-3

공급자 장치 패키지

16-HSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

16.1dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

291mA

전원-출력

180W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

18.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

280W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-880X-2L2L

공급자 장치 패키지

OM-880X-2L2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

13dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

200W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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