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MMSZ5231BT1G

MMSZ5231BT1G MMSZ5231BT1G

참조 용

부품 번호 MMSZ5231BT1G
PNEDA 부품 번호 MMSZ5231BT1G
설명 DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,634,953
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMSZ5231BT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMSZ5231BT1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMSZ5231BT1G, MMSZ5231BT1G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 229.54 KB)
PDFMMSZ5256CT1G 데이터 시트 표지
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MMSZ5231BT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)5.1V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)17 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

CDLL5541A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±10%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

JAN1N970DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N4129-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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